IGBT
東微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件結構，以得到更低的導通壓降與更小的開關損耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多個系列產(chǎn)品，涵蓋600V~1350V電壓，適合應用于光伏儲能逆變、直流充電樁、汽車主驅、UPS等領域。公司亦開發(fā)出超高速系列（E系列）TGBT，工作頻率達到60-100KHz，可以在滿足電源系統(tǒng)進一步高頻化的同時，實現(xiàn)更高的效率。
分享
下載資料