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東微半導(dǎo)體成立于2008年,注冊資本9432.6914萬元,是一家技術(shù)驅(qū)動型的半導(dǎo)體技術(shù)公司,在作為半導(dǎo)體核心技術(shù)的器件領(lǐng)域有深厚的技術(shù)積累,專注半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新,擁有多項半導(dǎo)體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表,標(biāo)志著國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得重大突破,新聞聯(lián)播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內(nèi)外業(yè)界的高度關(guān)注。2016年東微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn),打破國外廠商壟斷。目前,東微半導(dǎo)體已成為國內(nèi)高性能功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,在新能源領(lǐng)域替代進口半導(dǎo)體產(chǎn)品邁出了堅實一步,產(chǎn)品進入多個國際一線客戶,并受到了客戶的一致好評。2022年2月10日,東微半導(dǎo)體登陸上海證券交易所科創(chuàng)板上市,證券代碼:688261。

 

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2022

2022年2月10日,東微半導(dǎo)體登陸上海科創(chuàng)板上市,證券代碼:688261。

2019

東微半導(dǎo)體的創(chuàng)新型IGBT進入量產(chǎn),性能達到國際一流水平。

2018

東微半導(dǎo)體的GreenMOS大功率超結(jié)MOSFET成為國內(nèi)市場的知名品牌,在充電樁等高端應(yīng)用中被眾多一線客戶采用。

2016

東微半導(dǎo)體發(fā)明的原創(chuàng)結(jié)構(gòu)的SFGMOS實現(xiàn)量產(chǎn),進入到新能源汽車驅(qū)動、電池保護及同步整流等應(yīng)用領(lǐng)域。

2016

東微半導(dǎo)體的新能源汽車充電樁用核心功率器件芯片成功量產(chǎn),并進入到充電樁核心芯片市場,被人民日報等主流媒體普遍報道。

2014

東微半導(dǎo)體開始量產(chǎn)國產(chǎn)化超級結(jié)系列高壓大功率MOSFET,成為國內(nèi)工業(yè)級大功率系列高壓MOSFET的供應(yīng)商。

2013

半浮柵器件技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上正式發(fā)表,并在8月9日被新聞聯(lián)播頭條長篇報道。團隊受到時任江蘇省省長李學(xué)勇、科技部副部長曹建林等領(lǐng)導(dǎo)接見。


2012

東微半導(dǎo)體制造出世界上首個半浮柵晶體管(Semi-Floating Gate Transistor),可用于新型存儲器,感光器件及功率器件等應(yīng)用。

2009

東微半導(dǎo)體獲得蘇州工業(yè)園區(qū)領(lǐng)軍人才計劃項目支持。

2008

蘇州東微半導(dǎo)體有限公司在蘇州工業(yè)園區(qū)注冊成立,專注于原創(chuàng)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和工藝的創(chuàng)新和研發(fā)。

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